Literatur

Ada85

S. Adachi.
GaAs, AlAs and $\mathrm{Al}_{x}\mathrm{Ga}_{1-x}$As: Material parameters for use in research and device applications.
J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).

Adl96

F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M. H. Pilkuhn, B. Ohnesorge und A. Forchel.
Optical transitions and carrier relaxation in self assembled InAs/GaAs quantum dots.
J. Appl. Phys. 80, 4019 (1996).

Ash76

N. W. Ashcroft und N. D. Mermin.
Solid State Physics.
(Saunders College, Philadelphia, 1976).

Bim99

D. Bimberg, M. Grundmann und N.N. Ledentsov.
Quantum Dot Heterostructures.
(John Wiley & Sons Ltd., New York, 1999).

Blo92

P. Blood und J. W. Orton.
The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States.
(Academic Press, 1992).

Böd99

M. C. Bödefeld, R. J. Warburton, K. Karrai, J. P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro und P. M. Petroff.
Storage of electrons and holes in self-assembled InAs quantum dots.
Appl. Phys. Lett. 74, 1839 (1999).

Bos00

S. Bose.
Pattern formation at semiconductor interfaces and surfaces.
Dissertation, Technische Universität Berlin, 2000.

Bro81

I. N. Bronstein und K. A. Semendjajew.
Taschenbuch der Mathematik.
(Verlag Harry Deutsch, Thun und Frankfurt/Main, 20. Auflage, 1981).

Bro98

P. N. Brounkov, A. Polimeni, S. T. Stoddart, M. Henini, L. Eaves, P. C. Main, A. R. Kovsh, Yu. G. Musikhin und S. G. Konnikov.
Electronic structure of self-assembled InAs quantum dots in GaAs matrix.
Appl. Phys. Lett. 73, 1092 (1998).

Dre94

H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus und P. M. Petroff.
Spectroscopy of quantum levels in charge-tuneable InGaAs quantum dots.
Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994).

Ehe02

J. Ehehalt.
Kapazitätsspektroskopie an selbstorganisierten Quantenpunkten unter Einbeziehung optischer Methoden, 2002.
Diplomarbeit, TU-Berlin.

Fel01

J. Feldmann, S. T. Cundiff, M. Arzberger, G. Böhm und G. Abstreiter.
Carrier capture into InAs/GaAs quatum dots via multiple optical phonon emission.
J. Appl. Phys. 89, 1180 (2001).

Fer91

D.K. Ferry.
Semiconductors.
(Macmillan Publishing Company, New York, 1991).

Fer99

R. Ferreira und G. Bastard.
Phonon-assisted capture and intradot relaxation in quantum dots.
Appl. Phys. Lett. 74, 2818 (1999).

Fin98

J. J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Böm und G. Abstreiter.
Electrical detection of optically induced charge storage in self-assembled InAs quantum dots.
Appl. Phys. Lett. 73, 2618 (1998).

Gel02

M. Geller, C. M. A. Kapteyn, L. Müller-Kirsch, R. Heitz und D. Bimberg.
Zur Veröffentlichung eingereicht.
Phys. Rev. B (2002).

Hei97

R. Heitz, M. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D.Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev und Zh. I. Alferov.
Energy relaxation by multiphonon process in InAs/GaAs quantum dots.
Phys. Rev. B 56, 10435 (1997).

Jac75

W.D. Jackson.
Classical Electrodynamics.
(John Wiley, New York, 1975).

Kap98

C. M. A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, M. Grundmann und D. Bimberg.
Electron Emission from InAs Quantum Dots.
In D. Gershoni, Hrsg., Proceedings 24th ICPS, Jerusalem, Israel, Seite 1339, World Scientific, 1998.

Kap99

C. M. A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N. D. Zakharov, D. Bimberg und P. Werner.
Electron escape from InAs quantum dots.
Phys. Rev. B 60, 14265 (1999).

Kap00a

C. M. A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P.N. Brunkov, B.V. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh und V.M. Ustinov.
Hole and electron emission from InAs quantum dots.
Appl. Phys. Lett. 76, 1573 (2000).

Kap00b

C. M. A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, C. Miesner, T. Asperger, K. Brunner und G. Abstreiter.
Many-particle effects in Ge quantum dots investigated by time-resolved capacitance spectroscopy.
Appl. Phys. Lett. 77, 4169 (2000).

Kap01

C. M. A. Kapteyn.
Carrier Emission and Electronic Properties of Self-Organized Semiconductor Quantum Dots.
(Dissertation TU-Berlin, Mensch & Buch Verlag, Berlin, 2001).

Kit95

C. Kittel.
Introduction to Solid State Physics.
(Wiley, New York, 7. Auflage, 1995).

Koi00

K. Koike, S. Saitoh, S. Li, S. Sasa, M. Inoue und Y. Yano.
Room-temperature operation of a memory-effect AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor with self-assembled InAs nanodots.
Appl. Phys. Lett. 76, 1464 (2000).

Kun00

R. Kunert.
Monte-Carlo-Simulation der Wachstumskinetik von Quantenpunkten im Nukleationsstadium.
Diplomarbeit, TU Berlin, 2000.

Lan85

L. D. Landau und E.M. Lifschitz.
Quantenmechanik.
(Akademie Verlag, Berlin, 7. Auflage, 1985).

Lan91

P. T. Landsberg.
Recombination in Semiconductors.
(Cambridge University Press, Cambridge, 1991).

Led99

N. N. Ledentsov.
Growth processes and surface phase equilibria in molecular beam epitaxy.
(Springer Tracts in Modern Physics V, 1999).

Li01

H. W. Li und T. H. Wang.
Hysteresis in electronic transport through an ensemble of InAs self-assembled quantum dots.
Physica B 301, 174 (2001).

Mad91

O. Madelung, Hrsg.
Semiconductors: group IV elements and III-V compounds.
Data in Science and Technology. (Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg, 1991).

Meh01

V. Mehrmann.
Praktische Mathematik I.
Vorlesungsskript, 2001.

Mei02

M. Meixner.
Simulation of self-organized growth kinetics of quantum dots, 2002.
Dissertation, TU-Berlin.

Mie00

C. Miesner, T. Asperger, K. Brunner und G. Abstreiter.
Capacitance-voltage and admittance spectroscopy of self-assembled Ge islands in Si.
Appl. Phys. Lett. 77, 2704 (2000).

MK01

L. Müller-Kirsch, R.Heitz, U. W. Pohl, D. Bimberg, I. Häusler, H. Kirmse und W. Neumann.
Temporal evolution of GaSb/GaAs quantum dot formation.
Appl. Phys. Lett. 79, 1027 (2001).

Nie92

H. Niedrig.
Physik.
(Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg; New York, 1992).

Nol97

W. Nolting.
Grundkurs Theoretische Physik 3 Elektrodynamik.
(Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft, Braunschweig/Wiesbaden, 1997).

Ohn96

B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel und Y. Arakawa.
Rapid carrier relaxation in self-assembled $In_{x}Ga_{1-x}As$/$GaAs$ quantum dots.
Phys. Rev. B 54, 11532 (1996).

Pre92

W. H. Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky und W. T. Vettering.
Numerical Recipes in C (2nd ed.).
(Cambridge University Press, Cambridge, 1992).

Ray00

S. Raymond, K. Hinzer, S. Fafard und J. L. Merz.
Experimental determination od Auger capture coefficients in self-assembled quantum dots.
Phys. Rev. B 61, 16331 (2000).

Rec94

I. Rechenberg.
Evolutionsstrategie '94.
(Frommann, Stuttgart, 1994).

Rei87

F. Reif und W. Muschik.
Statistische Physik und Theorie der Wärme.
(de-Gruyter, Berlin; New York, 3. Auflage, 1987).

Sch87

E. Schöll.
Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors.
(Springer, Berlin, 1987).

Sch89

F. Schlögl.
Probability and Heat: Fundamentals of Thermostatistics.
(Vieweg, Braunschweig, 1989).

Sch98

E. Schöll, Hrsg.
Theory of Transport Properties of Semiconductor Nanostructures, Band 4 von Electronic Materials Series.
(Chapman and Hall, London, 1998).

Sch01a

E. Schöll.
Nonlinear spatio-temporal dynamics and chaos in semiconductors.
(Cambridge University Press, Cambridge, 2001).
Nonlinear Science Series, Vol. 10.

Sch01b

S. Schulz.
DLTS-Messungen an selbstorganisiert gewachsenen InAs-Quantenpunkten, 2001.
Diplomarbeit, Universität Hamburg.

Sch02a

A. Schliwa, 2002.
private communication.

Sch02b

S. Schulz und H. Hansen, 2002.
unpublished, Gastvortrag S. Schulz in der AG Prof. Schöll 2001, Vortrag DPG-Frühjahrstagung Regensburg 2002.

Sel84

S. Selberherr.
Analysis and Simulation of Semiconductor Devices.
(Springer, Wien, New York, 1984).

Sti99

O. Stier, M. Grundmann und D. Bimberg.
Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k$\cdot$p theory.
Phys. Rev. B 59, 5688 (1999).

Sti01

O. Stier.
Electronic and Optical Properties of Quantum Dots and Wires.
(Dissertation TU-Berlin, Mensch & Technik Verlag, Berlin, 2001).

Sze81

S. M. Sze.
Physics of Semiconductor Devices.
(Wiley, New York, 1981).

Sze99

S. M. Sze.
Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory: From Floating-Gate Concept to Single-Electron Memory Cell.
In S. Luryi, J. Xu und A. Zaslavsky, Hrsg., Future Trends in Microelectronics, Seite 291. (John Wiley & Sons, 1999).

Tar98

S. Tarucha.
Transport in Quantum Dots: Observation of Atomlike Properties.
MRS Bulletin - A Publication of the Materials Research Society 23, 49 (1998).

Tür01

V. Türck und O. Stier.
private communication, Praktikumsskript, 2001.
Einsatz der (1+1)- und der (1,5)-Evolutionsstrategie zur nichtlineare Kurvenanpassung.

Usk97

A. V. Uskov, F. Adler, H. Schweizer und P. H. Kuhn.
Auger carrier relaxation in self-assembled quantum dots by collisions with two-dimensional carriers.
J. Appl. Phys. 81, 7895 (1997).

Usk98

A. V. Uskov, J. McInerney, F. Adler, H. Schweizer und M. H. Pilkuhn.
Auger carrier capture kinetics in self-assembled quantum dot structures.
Appl. Phys. Lett. 72, 58 (1998).

Wal85

C. G. Van de Walle und R. M. Martin.
Theoretical study of Si/Ge interfaces.
J. Vac. Sci. Technol. B 3, 1256 (1985).

Wan85

W. I. Wang, T. S. Kuan, E. E. Mendez und L. Esaki.
Evidence of the orientation independence of band offset in AlGaAs/GaAs heterostructures.
Phys. Rev. B 31, 6890 (1985).

Wan96

J. B. Wang, F. Lu, S. K. Zhang, D. W. Gong, H. H. Sun und Xun Wang.
Analysis of capacitance-voltage characteristics of $\mathrm{Si}_{1-x} \mathrm{Ge}_x / \mathrm{Si}$ quantum-well structures.
Phys. Rev. B 54, 7979 (1996).

Wet98

R. Wetzler.
Ladungsträgerdynamik in Quantenbauelementen, 1998.
Diplomarbeit, TU-München.

Wet00

R. Wetzler, C. M. A. Kapteyn, R. Heitz, A. Wacker, E. Schöll und D. Bimberg.
Capacitance-voltage characteristics of InAs/GaAs quantum dots embedded in a $pn$ structure.
Appl. Phys. Lett. 77, 1671 (2000).

Wet03

R. Wetzler.
to be published, 2003.
Dissertation, TU-Berlin.

Wüs95

R. Wüst.
Höhere Mathematik für Physiker, Band 2.
(de-Gruyter, Berlin; New York, 1995).

Yus97

G. Yusa und H. Sakaki.
Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots and persistent photoconductivity in novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor.
Appl. Phys. Lett. 70, 345 (1997).

Yus98

G. Yusa und H. Sakaki.
Trapping of a single photogenerated hole by an InAs quantum dot in GaAs/n-AlGaAs quantum trap FET and its spectral response in the near-infrared regime.
Physica E 2, 734 (1998).

Zha00

K. Zhang, Ch. Heyn, W. Hansen, Th. Schmidt und J. Falta.
Ordering and shape of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001).
Appl. Phys. Lett. 76, 2229 (2000).